据钜亨网消息,台积电近期传出将展开评估在美投资兴建第二座晶圆厂,拟切入 3 纳米制程,建厂时程约 2 年后。对此,台积电8月19日表示,不回应市场传闻。此前,台积电美国亚利桑那州 5 纳米新厂,已于7月底上梁,预计一期于2024年量产,第一期月产能2万片。

传台积电计划在美国建第二座新厂 拟切入3纳米制程

不过,由于台积电亚利桑那州厂土地面积广大,占地约445公顷,先前就多次传出,台积电将扩大亚利桑那州投资计划,预计建6座晶圆厂。

台积电总裁魏哲家去年也曾说,台积电已在亚利桑那州取得大范围土地,以维持弹性,进一步扩建是有可能的,但首要任务是使第一期厂房顺利量产,接着根据营运效率、成本效益,及客户需求来决定下一步计划。

据了解,台积电的3nm工艺仍将采用FinFET晶体管的结构,而三星的3nm节点采用GAA晶体管架构。三星甚至领先于台积电,将3nm工艺技术转向量产。

消息人士指出,AMD苹果、博通、英特尔、联发科、英伟达和高通等厂商均已向台积电下达3nm芯片订单。但三星的3nm GAA工艺尚未吸引主要芯片供应商的订单。