芯研所4月18日消息，据BusinessKorea消息，三星要求研发人员停止1b工艺DRAM芯片的开发，也就是跳过12nm，直接跨代到1c，即11nm。三星设定了非常激进的目标，即在今年6月完成并冻结11nm、第六代DRAM芯片的开发工作。
芯研所采编
此前的说法是三星1b（12nm）DRAM芯片遇到困难，搞不定。不过就最新的报道来看，似乎并非如此，当然，最终实情如何，还得拿实物量产说话。
报道指出，三星此举目的在于重新拉开与竞争对手SK海力士、美光的技术差距，其原因在于1a DRAM芯片量产上，三星实际上落后于竞争对手。这并非三星第一次在DRAM芯片上计划“弯道超车”，当年对手都在搞28nm DRAM时，三星聚焦更先进的25nm工艺，结果高风险最终促成高收益。